半导体微纳材料光学特性的应变调控

主讲人：孙聊新 中科院上海技术物理研究所 副研究员 

时间：2016年12月7日18:00

地点：会议中心3、4号会议室  

举办单位：数理学院

主讲人简介：

孙聊新博士2004年在聊城大学取得学士学位，2009年在复旦大学取得博士学位。随后进入中国科学院上海技术物理研究所工作至今。期间，2011年11月-2013年11月，赴美国宾夕法尼亚大学材料工程系，从事博士后研究工作。主要研究领域包括：新型微纳材料的制备及光学特性、光-物质强耦合的物理及应用、微型光谱系统的设计开发以及低维材料中的光电探测物理机理及应用特性等。孙聊新博士致力于利用各种光谱技术研究半导体的物理性质，同时，在光谱技术改进和开发方面，主持并研制了同时具有空间分辨及角度分辨的光谱系统。先后主持国家自然科学基金项目2项，上海市自然科学基金1项，浦江人才计划1项等。 

内容简介：

应变工程学已经被证实是一种调制材料光学和电学特性的行之有效的方法，这将促进具有柔性特性的新功能器件的发展。尤其对纳米材料而言，由于其晶体质量高，体表比大，具有很好的应变承受力，更利于新型应变光电功能器件的构建。本部分工作依据应力工程学，研究了应变对单根半导体弯曲纳米线、纳米带中荧光峰，激子动力学以及激射特性的调制作用。受启发于弹性材料上有序结构的制作工艺，我们提出利用弹性衬底来获得周期性弯曲半导体纳米线、纳米带。在纳米波状结构中，压缩应力和拉伸应力沿着纳米结构长轴方向周期分布，使得光致发光谱（PL）中峰位发生周期性移动，最大荧光峰移动范围可达40 nm（~250 meV）。详细的微区光致发光谱和微区反射光谱表征证实了不同的带边激子荧光峰移动随应变的依赖行为不同。进一步我们还对拉伸应变条件下激子的动力学特性以及弯曲纳米带中的激射现象进行了详细的实验研究。总而言之，对纳米结构施加应力将会对柔性发光器件以及全光学片上器件的功能设计提供一个新的思路。